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报告概述

本报告以存储行业为研究对象，覆盖DRAM、NAND、HBM等核心存储产品，从需求和供给两端分析行业进入超级成长周期的底层逻辑。报告采用产业链供需关系分析框架，结合AI大模型技术迭代、CSP资本开支、原厂扩产策略等维度，深入探讨存储价格持续上涨的驱动因素。报告旨在帮助投资者理解本轮存储周期的特殊性，把握国产存储产业链的投资机遇。

报告的核心结论

AI大模型技术迭代是存储超级周期的根本驱动力

生成式AI从文本对话向多模态、视频生成演进，Token消耗量爆发式增长，2026年2月全球主要大模型Token消耗是上年同期的10倍以上。海量数据存储、处理和检索需求直接推高HBM、DRAM、NAND需求，开启长期需求上行周期。

存储原厂扩产谨慎导致供给刚性，供需缺口持续扩大

海外三大原厂在上轮周期过度投资后，本轮扩产极为审慎，资本开支主要用于技术升级而非产能扩张。同时高端HBM和DDR5产能挤占导致中低端存储芯片供给严重收缩，原厂库存仅3-5周，处于历史极低水平。

高端存储产品需求爆发，中低端供给被压缩引发价格补涨

AI服务器对HBM和DDR5的需求呈指数级增长，原厂将有限产能向高利润产品倾斜，DDR4/DDR3等消费级芯片产能被挤压。下游恐慌性囤货叠加产能缺口，引发DRAM全系产品价格飙升。

国产存储产业链正从规模增长转向技术引领

以长江存储、长鑫存储、江波龙等为代表的本土企业，依托自主架构创新和工艺迭代，在AI算力、消费电子、企业级市场全面突破。产能持续扩张、良率稳步提升，推动中国存储产业在全球竞争中崛起。

报告回答的关键问题

AI如何推动存储需求爆发式增长？

AI大模型的技术迭代和广泛应用带来Token消耗量指数级增长，2026年2月全球主流大模型Token消耗是上年同期的10倍以上。多模态应用、长上下文推理和视频生成使数据量从KB级跃升至GB/TB级，直接拉动HBM、DRAM、NAND等存储需求。同时CSP厂商资本开支预计2026年增长25%至约5000亿美元，高强度算力基建进一步刺激存储采购。

存储价格为何持续上涨且易涨难跌？

需求端AI爆发性增长，而供给端受多重约束：原厂扩产谨慎、产能向HBM和DDR5倾斜、洁净室建设周期长达8-12个月、高端HBM良率爬坡困难。三大原厂库存仅3-5周，处于历史极低水平。CFM闪存市场预计2026年全年存储价格延续上涨，其中Q1环比涨幅20%-45%。

HBM是什么？为什么成为存储厂商竞争焦点？

HBM（高带宽存储器）是AI服务器核心部件，用于GPU的快速数据交换。本轮周期中英伟达等巨头提前锁单，HBM需求爆发式增长。三大原厂正围绕HBM4展开军备竞赛，SK海力士领先、三星强势反攻、美光全力追赶。HBM技术壁垒高、良率低，产能扩张受限，成为涨价最猛的产品类别。

国产存储产业链有哪些代表企业和优势？

代表企业包括长江存储（3D NAND）、长鑫存储（DRAM）、江波龙（存储器模组）、兆易创新（NOR Flash等）等。国产存储依托工程师红利、完善的基建和制造业配套，在AI算力、消费电子、企业级市场全面突破。通过自主架构创新与工艺迭代，产能持续扩张、良率稳步提升，正从规模增长转向技术引领。

报告中的代表性数据

26Q1环比25Q4涨幅20%-45%

2026年存储价格环比预测

2026年第一季度，CFM闪存市场预测，26Q1存储价格环比大幅上涨，26Q2-Q4或延续涨价节奏，全年价格易涨难跌。

约5000亿美元

CSP厂商资本支出

2026年，预计2026年全球八大CSP厂商（谷歌、亚马逊、Meta、微软、甲骨文、腾讯、阿里巴巴、特斯拉）资本支出合计增长25%至约5000亿美元。

3-5周

存储原厂库存水平

2025年第四季度，根据三星、SK海力士、美光最新交流会，目前DRAM和NAND原厂库存处于历史极低水平，仅3-5周，供给极其紧张。

以上数据根据报告摘要整理，具体统计口径和数值请以完整报告原文为准。

完整报告包含什么

  • 详细的市场规模数据与价格走势图表：涵盖全球DRAM、NAND Flash市场规模季度变化、DRAM指数走势、NAND指数走势，以及主流DDR4、DDR5现货价格曲线，帮助读者直观把握行业周期节点。
  • 存储行业供需关系分析框架：从需求驱动（PC、手机、AI服务器等）和供给驱动（资本开支、技术升级、规模化生产）两个维度，解析行业周期性波动的底层逻辑。
  • HBM发展路线图与技术参数：展示从HBM4到HBM8的演进路径，包括带宽、容量、功耗、封装技术，以及未来以内存为中心的计算架构趋势。
  • 三大原厂产能规划与策略对比：详细列出三星、SK海力士、美光在DRAM和NAND领域的扩产计划、产能分配（HBM vs 传统）、资本开支预算及库存周转数据。
  • NAND技术路线图：包含3D NAND层数与位密度跃升关系、混合键合等下一代核心技术分析，以及全球主要NAND厂商的技术进展。
  • 国产存储产业链深度分析：覆盖长鑫存储、长江存储、江波龙、德明利、兆易创新、香农芯创、佰维存储、普冉股份、聚辰股份等多家公司的业务模式、竞争优势和成长路径。
  • 风险提示：包括AI发展不及预期、存储价格下行、研发进展不及预期三大风险因素的详细分析。
  • 分析师团队信息与投资评级说明：报告署名分析师执业证书编号、联系方式，以及西南证券的投资评级标准与法律声明。

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