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报告概述

本报告是东吴证券研究所发布的金融产品深度报告，以上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）为核心研究对象，并重点分析了跟踪该指数的科创芯片设计ETF广发（589210）的配置价值。报告覆盖指数编制逻辑、成分股结构、行业基本面、产业趋势及产品特征等多个维度，采用从宏观产业周期到具体投资工具的自上而下分析框架。报告首先剖析了芯片设计行业轻资产、高研发驱动的盈利模式，随后深入探讨AI算力建设引发的存储超级周期、3D DRAM商业化进程以及长鑫存储上市带来的国产存储崛起机遇，最后给出了ETF产品的详细推荐。对于关注科创板芯片设计领域投资机会的投资者，本报告提供了兼顾产业逻辑和产品选择的完整参考。

报告的核心结论

芯片设计指数高集中度覆盖AI算力与国产替代核心主线

报告指出，该指数高度集中于数字芯片设计领域，前十大成分股权重较高，覆盖存储芯片、高性能处理器、内存接口芯片、芯片IP和AI芯片等方向。这种高纯度配置使指数在AI算力需求扩张和国产芯片替代提速时具备较强进攻弹性，能够充分反映科创板芯片设计龙头的整体表现。

AI驱动存储超级周期，供需错配有望延续至2027年

报告认为，本轮存储周期自2025年第二季度起持续上行，AI算力基础设施带来的强需求增量与刚性供给约束形成紧平衡。美光2026年全年HBM供应量已全部售罄，TrendForce预计2026年下半年至2027年下半年Server DRAM合约价将逐季上涨，存储行业高景气度具备较强持续性。

3D DRAM进入放量元年，端侧AI存储需求将快速释放

报告显示，2025年3D DRAM相关产品已发布，2026至2027年进入放量期。瑞芯微等厂商已推出内置3D DRAM架构的NPU产品，支持端侧AI大模型部署。高带宽、低成本的3D DRAM有望在机器人、AIoT、汽车等多领域放量，头部科技终端厂商陆续入局，端侧存储市场空间被打开。

长鑫存储上市推动国产存储进入新一轮扩产周期

报告判断，长鑫存储登陆资本市场将显著增强资本实力，推动DRAM领域长期技术迭代与产能扩张。其重点推进的CBA架构开启DRAM向3D演进新周期，对光刻、刻蚀、薄膜沉积等环节提出更高技术要求，核心供应商将直接受益，产业链景气度有望系统性抬升。

报告回答的关键问题

上证科创板芯片设计指数为什么值得关注？

该指数是A股市场上纯度较高的科创板芯片设计主题指数，截至2026年6月30日，半导体相关成分股权重合计约95.96%。指数覆盖AI芯片、存储芯片、高性能处理器、芯片IP等核心方向，既能捕捉AI算力扩张带来的高弹性机会，也能受益于国产替代和存储周期改善，为投资者提供了较为纯粹的科创板芯片设计配置工具。

AI如何影响存储芯片需求？

报告指出，AI服务器与传统服务器正形成共振需求，AI算力基础设施建设带来强增量。AI服务器对存储的容量和带宽要求远高于传统服务器，且客户对存储价格上涨不敏感。海外四大云厂商资本开支持续高企，国内阿里云宣布26-28年投入3800亿元建设云和AI基础设施，这些都将产生海量存储芯片需求，推动存储市场进入卖方市场。

3D DRAM是什么？将带来哪些投资机会？

3D DRAM是一种通过三维堆叠提升存储密度的新型DRAM架构，具有高带宽、低成本的优势。2025年相关产品已发布，2026至2027年进入放量期，可支持端侧AI大模型部署，应用于机器人、AIoT、汽车等领域。报告认为，3D DRAM的商业化将带动存储芯片设计、设备及材料环节景气度提升，并为相关公司带来业绩弹性。

科创芯片设计ETF广发有哪些特点？

该ETF成立于2025年12月11日，紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，管理费率为0.50%。产品前十大成分股合计权重约65.11%，覆盖算力、存储、IP、SoC、特种芯片等多元赛道。兼具指数化投资和ETF场内交易优势，能在行业出现AI算力催化、国产替代加速或存储周期反转时及时交易，适合把握科创板芯片结构性行情。

报告中的代表性数据

65.30%

指数前十大成分股权重

2026年6月30日，截至2026年6月30日，上证科创板芯片设计主题指数前十大成分股权重合计为65.30%，反映指数高度集中于芯片设计领域龙头。

177.26%

指数EPS同比增长率

2025年度，指数EPS由2024年度的0.218元上升至2025年度的0.605元，同比增长约177.26%，表明指数成分股盈利能力快速改善。

120%-170%

SLC NAND合约价预测涨幅

2026年下半年，TrendForce预估，由于供给短缺，2026年下半年SLC NAND合约价较上半年将调涨120%-170%，显示利基存储涨价趋势强劲。

以上数据根据报告摘要整理，具体统计口径和数值请以完整报告原文为准。

完整报告包含什么

  • 上证科创板芯片设计主题指数的编制方案与成分股分析：详细说明指数的发布机构、基日、选样方法，并列出截至2026年6月30日的前十大成分股权重及所属行业，帮助投资者理解指数的底层构成。
  • 指数行业分布与估值水平历史比较：通过图表展示指数在申万行业的分布，并分析市盈率、市净率的历史分位变化，讨论高估值与盈利增长之间的匹配关系。
  • 存储行业供需格局与价格跟踪：分析AI驱动下存储超级周期的成因，包括美光HBM售罄、Server DRAM合约价上涨预期，以及DXI指数、DRAM与NAND指数的走势，并附有AI服务器与传统服务器存储需求对比表。
  • 各细分市场存储芯片需求增长预测：基于中投产业研究院数据，展示2026年各细分市场存储芯片需求增长预测，为投资者提供量化参考。
  • 3D DRAM技术演进与端侧应用场景：介绍3D DRAM的工艺特点、商业化进展，以及瑞芯微等厂商发布的NPU产品，探讨在机器人、AIoT、汽车等领域的应用前景。
  • 长鑫存储扩产周期对产业链的影响：分析长鑫存储上市对DRAM产能扩张的推动作用，以及CBA架构对光刻、刻蚀、薄膜沉积等设备环节的技术要求，判断供应链景气度。
  • 科创芯片设计ETF广发的基本信息与费率结构：包括基金代码、成立日期、上市日期、管理费率、托管费率、基金经理等，并说明联接基金情况。
  • 产品前十大权重股及细分领域占比：列出2026年第二季度前十大权重股及算力、存储、设计服务、终端芯片、特种芯片等细分领域的净值占比，展示产品的配置特点。
  • ETF场内交易与指数化投资优势分析：阐述产品采用完全复制法跟踪指数的机制，以及场内实时交易带来的效率优势，说明其在把握结构性行情中的作用。
  • 风险提示：包括行业政策或监管环境突变、宏观经济不及预期、重大预期外宏观事件、指数及行业特有风险等，提醒投资者注意高估值和行业集中度风险。

本页内容由川海智库整理，用于帮助读者快速了解报告主题、核心观点和主要内容。由于报告量大、人工能力有限，部分观点、数据、统计口径或表述可能存在偏差，具体内容请以完整报告原文为准。

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