报告概述
本报告是J.P. Morgan发布的亚太科技展望，聚焦科技周期动态与韩国相对价值投资主题。研究对象包括内存（DRAM/NAND/HBM）、AI硬件（MLCC、基板）、周期性硬件（iPhone、TV）以及韩国控股公司折价。报告基于供需分析、市场规模预测、盈利模型和估值比较，为投资者提供行业趋势判断和个股推荐。
报告的核心结论
内存进入为期五年的上升周期，AI需求是核心驱动力。
报告指出，Token经济学、更强的AI计算需求以及更重内存的服务器架构推动内存上升周期。预计全球内存TAM在2027E/2028E达到1.3/1.7万亿美元。CPU需求也是额外推动力，服务器需求预测上调20%以上。
HBM供应持续紧张，HBM4相比3E更为紧缺。
HBM整体供需紧张，但产品分化明显：HBM3E进入温和过剩，而HBM4供应偏紧。SK海力士在HBM领域保持领先，2026年订单已确认。HBM定价上行风险高，ASIC芯片的HBM需求增长迅速。
MLCC受益于AI和电动车长期增长，ASP有上行空间。
MLCC需求来自AI服务器和电动车渗透，内容量持续提升。报告预计MLCC行业收入与出货量保持增长，且ASP具备上行潜力。汽车和AI服务器是主要增长驱动。
韩国科技股相对价值机会集中在控股公司和半导体。
报告看好三星电子、SK海力士、Kioxia等内存股，以及SEMCO、ISU Petasys等AI硬件受益股。相对价值方面，三星物产和SK Inc是首选，受益于股息和资产价值。
报告回答的关键问题
内存上升周期能否持续？
报告认为当前内存周期可持续，并强调关注盈利持续性而非短期动能。五大驱动包括AI计算需求、Token经济、CPU增长、服务器架构升级和供应端约束。预计DRAM供需将持续紧张，因非HBM产能收缩。
HBM市场格局如何变化？
HBM需求强劲，ASIC芯片增长快于NVDA GPU。SK海力士份额领先，三星电子在ASIC客户中获取份额。HBM4预计比HBM3E更紧缺，定价上行风险高。报告看好HBM长期增长，直至2028年保持高增速。
AI如何影响MLCC需求？
AI服务器增加MLCC用量，加上电动车渗透推动长期增长。MLCC内容量在AI服务器中显著高于传统服务器，且ASP趋势向上。报告预计MLCC行业收入复合增长率可观，汽车和工业是最大增量来源。
报告中的代表性数据
全球内存TAM预测
2027E / 2028E，基于WSTS和J.P. Morgan估算，包括DRAM和NAND。
HBM wafer占比（DRAM行业）
2027E，DRAM行业HBM wafer产能占比预计从2025年的19%升至2027年的28%。
AI服务器内存需求同比增速
2026E / 2027E，通用服务器替换周期带动DRAM bit需求同比增速。
以上数据根据报告摘要整理，具体统计口径和数值请以完整报告原文为准。
完整报告包含什么
- 完整内存行业供需分析：包括DRAM和NAND的晶圆产出、位需求、资本开支、ASP趋势、中国竞争者影响等详细图表。
- HBM深度研究：按产品类别（HBM3E、HBM4）的供需动态、主要供应商份额、客户拆分（NVDA vs ASIC）、CoWoS产能分配及长期增长预测。
- MLCC行业数据：全球需求预测、内容量对比（汽车/AI服务器/消费电子）、供应商营收与利润率、库存与产能利用率趋势。
- AI硬件产业链分析：涵盖ABF基板、MLB、TCB设备等环节，包含ISU Petasys、Hanmi等公司的业务与估值分析。
- 周期性硬件展望：iPhone EMS组装上调、TV与手机供应链压力评估，及对LG Innotek、LGD、LGE的影响。
- 韩国相对价值主题：控股公司NAV折价分析、优先股折价历史趋势，以及三星物产、SK Inc、LG Corp的具体推荐。
- 个股盈利模型与估值：覆盖Samsung Electronics、SK hynix、Kioxia、SEMCO、ISU Petasys等主要公司，含详细财务预测。
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