报告概述

本报告由野村证券发布,聚焦全球内存行业在AI需求爆发驱动下进入结构性增长新阶段。研究对象覆盖DRAM(包括HBM)、NAND Flash等主要内存产品,范围涉及全球数据中心及AI服务器市场。报告分析了AI推理与智能体(Agentic AI)带来的成倍内存需求增长,以及供应端受限于产能扩张的结构性短缺,并深入探讨了长期协议(LTA)对供应商盈利稳定性的重塑作用。同时,报告对三星电子和SK海力士进行了详细的财务预测与估值分析,采用P/B估值法和风险溢价调整模型。这份报告为投资者提供了理解AI内存超级周期和把握相关投资机会的框架。

报告的核心结论

AI需求正驱动内存行业进入结构性增长新阶段

报告指出,自ChatGPT发布以来,GPU和HBM需求激增,而RAG和智能体AI的采用进一步拉动常规服务器和SSD需求,自2025年三季度起形成了三重内存超级周期。AI推理阶段的内存需求呈现指数级扩张,KV-cache需求随用户量、使用时长和任务复杂度乘数增长,未来五年内存需求或增长数千倍,而供应增长仅约5-6倍,供需缺口持续扩大。

长期协议(LTA)将大幅降低内存供应商盈利波动性

报告认为,当前内存供应商与客户签订的LTA包含3-5年最短合同期、预付款和资本支出支持条款,使得取消难度加大,从而保障了供应商的盈利稳定性。HBM等高性能内存的需求已超过行业中长期供应能力,客户被迫接受LTA条件,这使得供应商的盈利前景不再严重依赖现货价格波动,推动市场重新估值。

三星电子与SK海力士当前估值显著偏低,具有较大上行空间

报告预测2026F三星电子和SK海力士的营业利润合计将远超竞争对手,但两者当前12个月远期市盈率仅约6倍,隐含风险溢价过高。报告认为,随着LTA框架和长期需求可见性增强,估值折价将逐步消失。三星电子目标价上调至590,000韩元(上行118%),SK海力士目标价上调至4,000,000韩元(上行120%)。

三重内存超级周期于2025年三季度开启,持续至2028年及以后

报告指出,AI训练和推理需求同时拉动commodity DRAM、HBM和SSD三大品类,形成前所未有的三重周期。预计2026-2028年全球内存收入将从2024年的1810亿美元增长至2028年的2625亿美元,其中数据中心内存占比从33%提升至53%。HBM和NAND离载(offloading)等技术将共同被采用以缓解供应瓶颈。

报告回答的关键问题

AI如何影响内存需求?

AI从训练转向推理后,KV-cache内存需求随用户数、使用时长和任务复杂度乘数增长。例如简单问答仅需40个token,而智能体AI生成报告需3万token,1小时视频生成需1亿token以上。GPU和HBM是主要硬件,但推理还拉动CPU和普通DRAM,使得内存总需求在五年内可能增长数千倍。

为什么内存行业会出现结构性供应短缺?

报告认为,AI驱动内存需求呈指数级增长(如用户数×使用时长×复杂度×智能体等因子的乘积),而供应端受制于晶圆产能扩张速度,未来五年内存供应增长率约为30%的CAGR,仅增长5-6倍。软件层面的优化(如KV-cache压缩)只能减缓需求增速,无法逆转供需缺口,因此结构性短缺将持续。

三星电子和SK海力士的目标价和投资价值如何?

报告给出三星电子目标价590,000韩元(当前270,500韩元,上行118%),基于5倍P/B和降低后的风险溢价;SK海力士目标价4,000,000韩元(当前1,819,000韩元,上行120%),基于6倍P/B。两者2026F/27F ROE均高于50%,但估值仅约6倍远期市盈,远低于台积电等同类公司,存在重估空间。

什么是HBM?为什么它如此重要?

HBM(高带宽内存)是AI GPU的关键配套内存,通过垂直堆叠和宽接口实现超高带宽。报告指出,HBM需求自2025年起爆发,占AI数据中心内存成本的比例持续上升。HBM的利润贡献在2026F和2027F将大幅提升,其盈利能力预计在2027F接近commodity DRAM水平,成为内存厂商利润增长的核心驱动力。

报告中的代表性数据

8520亿美元

全球内存收入预测

2026年,报告预测2026年全球内存总收入将达到8520亿美元,较2024年的1810亿美元大幅增长。其中数据中心内存占比从33%提升至53%,AI数据中心内存占比从11%升至16%。

307万亿韩元

三星电子营业利润预测

2026年,报告预测三星电子2026年营业利润为307万亿韩元,同比增长604%;2027年预计432万亿韩元(+41%),2028年511万亿韩元(+18%)。盈利增长主要来自内存部门,DRAM和NAND ASP持续高位,HBM盈利能力改善。

281万亿韩元

SK海力士营业利润预测

2026年,报告预测SK海力士2026年营业利润为281万亿韩元,同比增长496%;2027年394万亿韩元(+40%),2028年480万亿韩元(+22%)。凭借纯内存业务和高财务杠杆,ROE预计在2026年达到100%。

以上数据根据报告摘要整理,具体统计口径和数值请以完整报告原文为准。

完整报告包含什么

  • 全球内存市场整体数据与趋势图表:涵盖全球内存销售历史与预测、数据中心资本支出拆分、AI与非AI服务器内存需求对比等。
  • HBM、DRAM、NAND产能与供应分析:包含各厂商(三星、海力士、美光、铠侠等)的晶圆产能规划、HBM产能占比、先进制程演进等。
  • 长期协议(LTA)条款与分析:详细说明LTA的合同期限、预付款安排、资本支出支持等条款,及其对供应商盈利稳定性的影响机制。
  • 三星电子与SK海力士详细财务预测:包括分业务收入、毛利率、营业利润率、ROE、EPS、BVPS等逐季度预测,以及估值敏感性分析。
  • 目标价推导模型:运用P/B估值法,结合风险溢价、无风险利率、ROE假设,展示目标价对不同折现率的敏感度。
  • AI token消耗与硬件需求关系:通过估算不同类型prompt的token消耗(从简单问答到视频生成),展示对CPU、DRAM、GPU、HBM的具体需求影响。
  • 行业风险分析:分点讨论CSP资本支出可持续性、美国数据中心电力短缺、利率与通胀对项目融资的影响等关键风险。
  • 竞争格局与对标分析:包含全球内存及半导体公司的估值对比表(PE、PB、EV/EBITDA、ROE等),以及与台积电等逻辑厂商的比较。

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