报告概述
本报告聚焦AI推理需求对全球存储行业的深刻重塑，深入分析DRAM和NAND两大市场的供需格局、价格趋势与技术演进。报告从“供需共振”出发，阐述存储市场实现跨越式增长的驱动力；从“AI推理新范式”角度，揭示存储如何从算力配套转变为决定AI系统性能的核心基础设施；并从“国产存储产业升级”视角，梳理国内原厂、模组厂及主控芯片厂商在产业链重构中的机遇。报告结合IDC、CFM等权威数据，为投资者提供全面的行业图景和投资逻辑。
报告的核心结论
AI推理需求重塑存储新范式，存储成为AI系统核心基础设施。
报告指出，AI推理对低延迟、高并发的需求使存储不再仅仅是算力的配套资源，而是决定了AI系统整体性能与上限。服务器逐步超越手机成为存储需求最主要市场，2026年服务器DRAM占比预计超50%，服务器NAND Bit需求增长超60%。DRAM技术向3D方向演进，先进封装成为破解“内存墙”的主流路径；NAND方面，企业级SSD加速替代机械硬盘，高带宽闪存（HBF）作为新型存储层协同HBM工作。
全球存储市场供需共振，实现跨越式增长。
自2024年生成式AI爆发，AI服务器对HBM、DDR5及高容量NAND需求指数级增长，叠加海外原厂2023年起减产，25年下半年进入加速爆发期。据IDC数据，全球DRAM营收2025年突破1500亿美元，预计2026年增至5607亿美元以上，同比增长272%；NAND营收从2025年的671亿美元增至2026年的2890亿美元，同比增长331%。存储价格持续上涨，景气度有望维持高位。
国产存储厂商迎来市占率提升与利润释放的产业升级期。
海外原厂将产能向HBM、DDR5等高端领域倾斜，战略性退出传统利基市场，为国产厂商打开导入窗口。1Q26长江存储NAND全球市占率达6.8%，长鑫存储DRAM全球市占率达7.5%。国内模组厂商如江波龙、佰维存储、德明利营收实现跨越式增长，进入企业级和中高端手机市场，形成“规模增长-客户加速导入-产品结构升级”的正向循环。同时，国产利基存储厂商有望填补2D NAND和DDR4等市场的需求红利。
海外原厂退出利基市场，国产存储厂商填补需求红利。
三星、铠侠、美光等海外原厂逐步退出2D NAND及DDR4产品线，这些产品转向工控、车载、网通等长周期刚性需求市场。根据Trendforce数据，SLC NAND部分供应紧张。国产存储厂商可填补国内信创、存量服务器及消费级DDR4的需求缺口，同时利基存储厂商迎来发展机遇。
报告回答的关键问题
AI推理如何改变存储需求格局？
AI推理要求低延迟与高并发，推动存储从“冷数据存储”转变为“高速缓冲数据公路”。具体体现为：服务器成为存储需求最主要市场，单台AI服务器DRAM用量达传统服务器2倍；企业级QLC SSD加速替代机械硬盘；高带宽闪存（HBF）作为介于HBM与传统SSD之间的新型缓存层，大幅降低硬件成本。存储已从算力配套升级为决定AI系统性能的核心基础设施。
国产存储厂商面临哪些发展机遇？
海外原厂将产能集中于HBM、企业级SSD等高附加值领域，退出传统移动端和利基市场，为国产厂商创造导入窗口。在手机端，国产模组厂通过开发先进主控和晶圆级封装进入中高端供应链；在企业级市场，自主可控要求下国内CSP厂商加速国产产品导入。同时，国产原厂长鑫存储、长江存储全球市占率持续提升，利润加速释放。此外，独立主控芯片厂商随下游扩张同步增长。
当前存储行业处于什么周期阶段？
报告显示，存储行业正处于供不应求、价格持续上行的景气周期。据IDC数据，DRAM和NAND供给充足率自25年下半年进入负值区间，行业处于供不应求状态。1Q26 DRAM和NAND价格环比增长87%和98%，预计2Q26后增速放缓但价格水平有望维持高位。在AI应用深化与原厂谨慎扩产背景下，存储行业高景气度有望延续。
什么是高带宽闪存（HBF）？它有什么作用？
高带宽闪存（HBF）是借鉴HBM理念的新型非易失性存储技术，通过垂直堆叠12-16层3D NAND并利用TSV工艺与逻辑层融合。其单堆栈容量可达HBM的8倍以上，读取延迟亚微秒级，单位成本低于HBM。HBF作为“超大容量高速硬缓存层”，适配AI推理、RAG等场景，与HBM协同构建分层存储体系，有效缓解内存墙和I/O阻塞问题。
报告中的代表性数据
全球DRAM市场规模
2026年，根据IDC数据，全球DRAM营收在2025年突破1500亿美元后，预计2026年增至5607亿美元以上，同比增长272%。
全球NAND市场规模
2026年，根据IDC数据，全球NAND营收从2025年的671亿美元预计增至2026年的2890亿美元，同比增长331%。
长江存储NAND全球市占率
1Q26，根据IDC数据，长江存储（YMTC）在1Q26全球NAND Flash市占率为6.8%，排名全球第六，较4Q25的5.1%提升1.7个百分点。
以上数据根据报告摘要整理，具体统计口径和数值请以完整报告原文为准。
完整报告包含什么
- 全球DRAM和NAND市场供需全景：包含市场规模、出货量、晶圆产出、供给充足率等大量历史数据与未来预测图表，来自IDC等权威机构。
- 存储价格走势与厂商业绩分析：展示DRAM和NAND平均售价（ASP）及环比增速，以及三星、SK海力士、美光等原厂营业利润率变化曲线。
- AI五层蛋糕框架及存储需求演进：从能源、芯片到基础设施、模型、应用的逐层分析，阐述AI如何驱动存储需求从训练侧向推理侧转移。
- 存储介质与技术趋势深度解析：涵盖3D NAND层数演进、QLC渗透率预测、高带宽闪存（HBF）结构、DRAM向3D架构升级路径以及先进封装方案对比。
- 国产原厂与模组厂财务及市占率数据：包括长鑫存储、长江存储市占率变化，以及江波龙、佰维存储、德明利等厂商营收与台湾群联电子的对比。
- 独立主控芯片市场竞争格局：全球SSD主控芯片出货量份额，以及联芸科技等国产主控厂商的行业地位与成长逻辑。
- 2D NAND与利基DRAM退出路径及国产机遇：海外原厂停产时间线（三星、铠侠、美光等），以及DDR4向DDR5/DDR6的出货结构预测。
- 海外存储原厂扩产计划详表：三星平泽、SK海力士龙仁、美光美国/日本/新加坡等地的具体产能目标、投产时间和产品方向。
- 投资建议与风险提示：包括建议关注的存储模组厂（德明利、江波龙、佰维存储）和利基存储厂商（兆易创新、普冉股份），以及价格、需求、竞争、国际关系等四类风险。
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