报告概述
本报告为电子行业年度策略报告，研究对象涵盖半导体（存储、芯片、代工封测、设备）、电子元器件（PCB、被动器件）以及消费电子（智能眼镜）三大领域。报告覆盖全球及中国市场，重点分析AI技术爆发对电子产业链需求结构、供给格局和技术演进的影响，采用产业趋势分析、供需缺口测算、技术路线对比等方法，旨在帮助投资者把握AI硬件通胀周期和国产替代加速背景下的投资机会。
报告的核心结论
存储进入量价齐升的超级周期
AI训练与推理推动HBM及高速eSSD需求激增，供给端受前期保守扩产、良率约束及业务结构调整影响，2026年HBM供需缺口预计约6%，DRAM受挤占短缺持续，NAND缺货态势延续，行业进入量价齐升的超级周期。
半导体行业景气度全面提升
AI算力爆发与新能源车渗透拉动功率、模拟芯片及被动元器件需求，供给端结构性收缩导致全链条涨价。功率器件受益HVDC技术，模拟芯片库存周期反转，被动元器件受上游成本驱动，行业景气度持续上行。
国产算力与制造环节加速突围
国内AI大模型与AIDC建设释放强劲需求，叠加出口管制倒逼，国产芯片、先进制程（中芯国际7nm及以下）、先进封装（Chiplet、HBM）及半导体设备迎来“需求扩容+国产替代”共振，国产化率快速提升。
AI创新驱动PCB材料与架构双升级
AI服务器与高速交换机要求高密度互连与低损耗，PCB从多层板向高多层HDI演进，材料向M9级超低损耗CCL升级，带动铜箔（HVLP）、玻纤布（Q布）、树脂（碳氢/PTFE）等高端原材料需求缺口显著。
AR眼镜有望成为新一代交互终端
AI与光学创新推动AR眼镜从辅助工具升级，光波导方案加速替代Birdbath，显示端LCoS、Micro-OLED、Micro-LED三足鼎立。国内厂商出货量增速达142.3%，光学镜片、显示面板等环节迎来创新红利。
报告回答的关键问题
AI如何推动存储市场进入超级周期？
AI训练需要大容量高带宽HBM，推理侧多模态输入与KV缓存消耗大量存储空间，服务器配套HBM与高速eSSD成为标配。供给端受2022年下行周期影响，存储厂商资本开支保守，HBM受3D堆叠工艺壁垒供给弹性不足，导致存储市场量价齐升。
国产算力芯片发展现状如何？
国内AI大模型与AIDC建设释放强劲算力需求，2029年中国加速服务器市场规模将超1400亿美元。美国出口管制倒逼国产芯片突破，中科曙光部署万卡超集群支持多品牌国产AI卡混合调度，国产算力芯片进入高速发展期。
PCB材料升级趋势是什么？
AI服务器与高速交换机要求低损耗传输，PCB材料从M级向M9级超低损耗CCL升级，铜箔向HVLP超低轮廓发展，玻纤布向石英布演进，树脂采用碳氢树脂或PTFE，以满足224Gbps及以上信号速率。
AR眼镜的核心技术路径有哪些？
光学端光波导方案（尤其是衍射光波导）加速替代Birdbath，实现超轻薄形态。显示端LCoS、Micro-OLED、Micro-LED三足鼎立，通过有效搭配可解决“重量、性能、续航”矛盾。国内厂商在AR领域出货量增速达142.3%。
报告中的代表性数据
HBM供需缺口
2026年，根据SEMI预测，HBM供需缺口预计从2025年的约5%扩大至2026年的约6%，并在2027年进一步扩大到约9%，显示AI存储需求持续紧张。
以上数据根据报告摘要整理，具体统计口径和数值请以完整报告原文为准。
完整报告包含什么
- 完整市场数据与趋势图表：涵盖全球CSP资本开支、存储价格、DRAM/NAND供需、加速服务器市场、封装市场等关键数据图表。
- 研究模型与评价维度：采用供需缺口分析、技术路线图对比、产业链上下游传导分析等框架。
- 存储芯片厂商分析：详细对比HBM、DRAM、NAND领域主要厂商格局、产能分布及技术进展。
- 半导体设备国产化率表：列出刻蚀、薄膜沉积、光刻等环节国产化率及主要国内外品牌。
- PCB材料技术演进路线：包括CCL等级（M2-M9）、铜箔粗糙度、玻纤布性能参数及树脂类型对比。
- 被动器件厂商调价详情：汇总国巨、风华高科、顺络电子等厂商调价时间、产品及幅度。
- 智能眼镜光学方案对比：阵列光波导、衍射光波导、体全息光波导在FOV、透光率、厚度等参数对比。
- 投资建议与公司估值表：分板块列出推荐标的及一致预期EPS、PE数据，截至2026年2月25日。
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