报告概述
本报告聚焦存储领域（DRAM、NAND、HBM）技术演进对大陆逻辑代工市场的影响。研究对象包括存储厂商向存储-逻辑双晶圆（CBA）架构的升级、HBM Base Die制程向FinFET跨越、CoWoS中介层硅基需求，以及台积电、三星成熟制程产能收缩带来的转移机会。报告采用测算方法，预测至2030年各类需求带来的逻辑晶圆产能增量，并给出投资建议。适合关注半导体代工、存储产业链及国产替代的投资者阅读。
报告的核心结论
DRAM与NAND向CBA架构升级将显著拉动逻辑代工需求。
随着DRAM和NAND制程微缩放缓，产业界采用CMOS键合阵列架构，将外围电路分离至专用逻辑晶圆制造。这一架构在2030年预计为全球逻辑代工市场新增DRAM相关71万片/月、NAND相关142.8万片/月产能需求，其中本土需求分别达49万片/月和59万片/月。
HBM Base Die向FinFET工艺升级带来新增逻辑晶圆需求。
HBM3E之后，Base Die因性能需求从DRAM平面工艺转向FinFET逻辑工艺，需委托代工厂生产。预计到2030年HBM所需逻辑晶圆产能约7万片/月，本土约1.4万片/月。同时CoWoS中介层对12寸硅基需求在2030年达15.6万片/月，本土3.9万片/月。
台积电、三星退出成熟制程，大陆Fab有望承接存量需求。
台积电和三星逐步削减8英寸及12英寸成熟制程产能，转向先进封装与先进制程。2026年全球8英寸产能预计同比减少2.4%，若两家完全退出将减少约10%供给。中国大陆成熟制程份额预计从2024年33%升至2027年45%，国内代工厂有望承接外溢订单。
存储技术迭代与产能转移共同打开大陆逻辑代工景气上行空间。
AI驱动存储需求爆发，推动厂商扩产和技术升级。CBA架构和HBM Base Die升级直接拉动逻辑代工增量，同时成熟制程产能转移提供存量市场。报告推荐晶合集成，关注华润微、华虹公司、燕东微、芯联集成，并指出中芯国际有望受益于HBM先进制程代工需求。
报告回答的关键问题
什么是CBA架构？它如何影响逻辑代工？
CBA（CMOS键合阵列）架构是将存储阵列与外围电路分别在不同晶圆制造，再通过混合键合集成。该架构允许外围电路采用更先进的逻辑工艺（如HKMG、FinFET），存储厂商因经济性和技术壁垒倾向于将逻辑部分委托给代工厂，从而为逻辑代工市场带来新增需求。
HBM Base Die为何需要逻辑代工？
HBM3E之前的Base Die采用DRAM工艺，由存储厂商自制。但随着AI性能需求提升，FinFET逻辑工艺在速度、能效上优势显著，代工厂工艺更成熟。因此HBM4及更先进产品需要将Base Die交由逻辑代工厂制造，预计到2030年带来约7万片/月晶圆需求。
台积电和三星为何退出成熟制程？对大陆代工有何影响？
台积电和三星为优化资源配置，将洁净室、设备转向先进制程和封装（如CoWoS），主动削减8英寸和12英寸成熟产能。这导致全球成熟制程供给收缩，而中国大陆代工厂凭借产能建设和工程师红利，有望承接这些存量需求，提升市场份额。
报告中的代表性数据
DRAM CBA架构带来的全球逻辑代工新增产能需求
2030年，在CMOS逻辑晶圆与DRAM晶圆1:1键合模式下，预计2030年全球DRAM CBA架构为逻辑代工市场新增71万片/月产能需求，其中本土需求49万片/月。
NAND CBA架构带来的全球逻辑晶圆代工需求
2030年，预计2030年NAND采用CBA架构将给全球逻辑晶圆带来142.8万片/月需求，其中本土厂商需求59万片/月。
以上数据根据报告摘要整理，具体统计口径和数值请以完整报告原文为准。
完整报告包含什么
- 详细分析DRAM制程演进及外围电路工艺从HKMG到FinFET的升级路径，附YOLE、TEL等机构技术路线图。
- 3D NAND堆叠层数提升及架构演变，重点介绍长江存储Xtacking和铠侠CBA技术，含技术示意图和对比。
- HBM市场格局（2024年三星、海力士、美光份额）及市场规模预测（2030年980亿美元），含YOLE数据图表。
- CoWoS三种类型（S/L/R）介绍，以及全球产能预测（2030年15.6万片/月），附DIGTIMES、TrendForce数据。
- 全球8英寸产能收缩数据（2025-2026年同比变化），台积电、三星产能占比及Fab 14产能削减计划。
- 大陆成熟制程份额提升预测（2024年33%→2027年45%），含TrendForce图表。
- 重点推荐公司（晶合集成）深度分析：制程平台、产能规划、合肥产业链协同，附盈利预测与估值表。
- 华润微、华虹公司、燕东微、芯联集成、中芯国际等公司的业务进展、产能布局及受益逻辑。
- 风险提示：技术发展、资本开支、终端需求不及预期等。
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