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报告概述

本报告聚焦AI算力需求爆发背景下存储产业的新变革，研究对象包括DRAM、NAND Flash等存储器，覆盖英伟达Vera Rubin平台、AMD MI450 GPU等前沿技术，以及海外主流存储厂商的业绩表现。报告从技术迭代、供需格局、价格走势等维度展开分析，采用产业链研究方法，结合TrendForce等第三方数据，为投资者梳理存储板块的投资逻辑。通过阅读报告，读者可快速把握存力升级带来的产业机会及市场动态。

报告的核心结论

AI推理催生专用高性能存储需求，存力新篇章开启。

英伟达在CES 2026发布推理上下文内存存储平台，为每个GPU额外配备16TB NAND，并推出Vera Rubin平台大幅提升内存带宽与容量。专用存储单元（如KV缓存系统）成为突破AI推理长上下文内存瓶颈的关键，推动存储产业从通用向专用演进。

2026年Q1存储器价格全面上涨，服务器DRAM季增超60%。

据TrendForce调查，因DRAM原厂产能向Server/HBM转移，一般型DRAM合约价季增55-60%；NAND Flash因原厂控产及Server排挤，合约价上涨33-38%。服务器DRAM供需缺口最大，原厂积极调涨价格，季增逾60%。

海外存储厂商业绩持续新高，验证产业景气上行。

三星2025年Q4营业利润同比飙升208%，创历史新高；南亚科技、威刚、群联等企业营收屡创新高，同比增长显著。业绩表现印证了AI与数据中心需求驱动下的存储行业高景气度。

MLC NAND Flash产能大幅收缩，供需失衡加剧。

主要厂商退出或减产MLC NAND Flash，预计2026年全球产能年减41.7%，供给急缩引发追货锁量。旺宏转产填补缺口，但整体供应偏紧，价格显著上涨，同时促使NOR Flash产能收敛，中高容量报价获支撑。

报告回答的关键问题

英伟达Vera Rubin平台如何提升AI推理性能？

报告详细介绍了Vera Rubin平台通过六大核心芯片协同设计实现性能跃升：Rubin GPU推理算力达50 PFLOPS（较Blackwell提升5倍），并结合推理上下文内存存储平台为每个GPU额外提供16TB NAND，突破长上下文内存瓶颈。整体机架推理性能提升5倍，训练性能提升3.5倍。

2026年Q1存储芯片价格走势如何？

根据TrendForce预测，2026年Q1一般型DRAM合约价季增55-60%，服务器DRAM季增逾60%；NAND Flash合约价上涨33-38%。涨价主因是原厂产能向AI服务器倾斜，导致其他市场供给紧缩，以及原厂控产策略。

三星、南亚科技等存储厂商业绩为何大幅增长？

报告指出，AI与数据中心需求旺盛推动存储景气上行。三星2025年Q4营业利润同比飙升208%至20万亿韩元；南亚科技12月营收同比暴增444.87%；威刚全年营收突破500亿新台币创历史新高。业绩高增主要受益于存储器量价齐升及下游拉货强劲。

MLC NAND Flash缺货原因及影响是什么？

MLC NAND Flash缺货主因是三星等大厂退出生产，预计2026年全球产能年减41.7%。供给急缩引发追货锁量，价格显著上涨。旺宏转产填补缺口，但导致NOR Flash产能收缩，中高容量NOR Flash报价获支撑。终端应用如工控、车用等需求持稳，但替代方案可能影响长期需求。

报告中的代表性数据

20万亿韩元

三星2025年Q4营业利润

2025年第四季度，同比增长208%，创历史最高单季营业利润；同期销售额93万亿韩元，同比增长23%。

120.17亿新台币

南亚科技2025年12月营收

2025年12月，环比增长18.18%，同比暴增444.87%，连续第二个月改写新高；2025年全年营收665.87亿新台币，同比增长95%。

季增逾60%

2026年Q1服务器DRAM合约价涨幅

2026年第一季度，根据TrendForce调查，因原厂产能向Server/HBM转移，库存水位见底，供不应求加剧，预计原厂将积极调涨Server DRAM价格。

以上数据根据报告摘要整理，具体统计口径和数值请以完整报告原文为准。

完整报告包含什么

  • 完整报告包含英伟达Vera Rubin平台六大核心芯片（Vera CPU、Rubin GPU、BlueField-4 DPU等）的详细技术参数与性能对比图表，帮助理解AI存力新架构。
  • 包含AMD MI450/MI500 GPU路线图及Helios超算平台详解，涵盖算力跃升至YottaFlops时代的技术细节。
  • 提供南亚科技、威刚、群联等多家存储厂商的营收走势图及月度/季度业绩分析，便于跟踪产业景气度。
  • 包含TrendForce对2026年Q1各类存储器（DRAM、NAND Flash、SSD等）的合约价涨幅预测及供需分析。
  • 深入分析MLC NAND Flash产能收缩的供需失衡原因，并附有2021-2026年全球MLC产能年增/减率图表。
  • 梳理存储模组、存储芯片、半导体设备/材料/封测等环节的A股相关标的及投资评级，附重点公司盈利预测与PE估值。
  • 包含风险提示（下游需求、研发进展、地缘政治风险）及分析师声明、免责条款等合规披露内容。

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